| 品番 | SIA537EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V, 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 16nC @ 8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 455pF @ 6V |
| 電力 - 最大 | 7.8W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L | 詳細 |
