| 品番 | SIA430DJT-T4-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 13.5 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | 詳細 |
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SIA430DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-70-6 | 詳細 |
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