| 品番 | SI8469DB-T2-E1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 800mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 900pF @ 4V |
| Vgs（最大） | ±5V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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