SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

品番
SI8429DB-T1-E1
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
60000 pcs
参考価格
USD 0.462/pcs
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SI8429DB-T1-E1 詳細な説明

品番 SI8429DB-T1-E1
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 8V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11.7A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 26nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1640pF @ 4V
Vgs(最大) ±5V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 35 mOhm @ 1A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 4-Microfoot
パッケージ/ケース 4-XFBGA, CSPBGA
重量 -
原産国 -

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