SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI7998DP-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7500 pcs
参考価格
USD 0.7084/pcs
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SI7998DP-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI7998DP-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 25A, 30A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 26nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1100pF @ 15V
電力 - 最大 22W, 40W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
重量 -
原産国 -

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