SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI7911DN-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4146 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SI7911DN-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI7911DN-T1-GE3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.2A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 -
原産国 -

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