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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SI7322DN-T1-E3
SI7322DN-T1-E3

SI7322DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

品番
SI7322DN-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI7322DN-T1-E3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
34897 pcs
参考価格
USD 0.7623/pcs
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SI7322DN-T1-E3 詳細な説明

品番 SI7322DN-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 750pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 58 mOhm @ 5.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
重量 -
原産国 -

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