| 品番 | SI7170DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.6V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 100nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4355pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.4 mOhm @ 15A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7170DP | VISHAY | SI7170DP VISHAY QFN New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7170DP-T1-E3 | VISHAY | SI7170DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7170DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 詳細 |
 |
SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8 | 詳細 |
|
Si7172DP-T1-E3 | VISHAY | Si7172DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 | 詳細 |
|
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 | 詳細 |
|
SI7178DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 詳細 |
