| 品番 | SI7112DN-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.3A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2610pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V |
| 動作温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7110DN | VISHAY | SI7110DN VISHAY QFN New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7110DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | 詳細 |
|
SI7110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | 詳細 |
|
SI7111EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8 | 詳細 |
|
SI7112DN | VIS | SI7112DN VIS QFN8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7112DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | 詳細 |
|
SI7112DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | 詳細 |
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8 | 詳細 |
|
SI7113DN | VISHAY | SI7113DN VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks | 詳細 |
|
SI7113DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | 詳細 |
