| 品番 | SI5855CDC-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 276pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
SI5853CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 詳細 |
 |
SI5853DC | VISHAY | SI5853DC VISHAY SOT-8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI5853DC-T1 | VISHAY | SI5853DC-T1 VISHAY 1206-8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5853DDC | Vishay | SI5853DDC Vishay 1206-8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SI5853DDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5855CDC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode | 詳細 |
|
SI5855CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 | 詳細 |
|
SI5855DC | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode | 詳細 |
|
SI5855DC-T1 | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode | 詳細 |
