| 品番 | SI5509DC-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A, 4.8A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 455pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 4.5W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SI5504BDC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | 詳細 |
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SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | 詳細 |
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Si5504DC | VISHAY | Complementary 30-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | 詳細 |
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SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | 詳細 |
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Si5509DC | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | 詳細 |
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SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | 詳細 |
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SI5509DC_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
