品番 | SI4618DY-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A, 15.2A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 17 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 44nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1535pF @ 15V |
電力 - 最大 | 1.98W, 4.16W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
重量 | - |
原産国 | - |