品番 | SI4567DY-T1-GE3 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A, 4.4A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 12nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 355pF @ 20V |
電力 - 最大 | 2.75W, 2.95W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
重量 | - |
原産国 | - |