品番 | SI4459BDY-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3490pF @ 15V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
重量 | - |
原産国 | - |