SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI4459BDY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CHAN 30V SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
295282 pcs
参考価格
USD 0.5576/pcs
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SI4459BDY-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI4459BDY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 84nC @ 10V
Vgs(最大) +20V, -16V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3490pF @ 15V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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