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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SI4401BDY-T1-GE3
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI4401BDY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI4401BDY-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
37121 pcs
参考価格
USD 0.7192/pcs
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SI4401BDY-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI4401BDY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.7A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 55nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.5W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 14 mOhm @ 10.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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