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SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SI4116DY-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI4116DY-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 62500 pcs
参考価格: USD 0.442/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI4116DY-T1-GE3 詳細な説明

品番	SI4116DY-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	2.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	56nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1925pF @ 15V
Vgs（最大）	±12V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8.6 mOhm @ 10A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SO
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

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