品番 | SI3805DV-T1-GE3 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.3A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 12nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 330pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 84 mOhm @ 3A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
重量 | - |
原産国 | - |