品番 | SI3585CDV-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.9A, 2.1A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.8nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 10V |
電力 - 最大 | 1.4W, 1.3W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
重量 | - |
原産国 | - |