• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI3460DDV-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI3460DDV-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
169837 pcs
参考価格
USD 0.1535/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI3460DDV-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.9A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 18nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 666pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
重量 -
原産国 -

関連製品 SI3460DDV-T1-GE3

画像 品番 メーカー 説明 見る
SI3460-E02-GM SI3460-E02-GM Silicon Labs IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN 詳細
SI3460-E02-GMR SI3460-E02-GMR Silicon Labs IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN 詳細
SI3460-E03-GM SI3460-E03-GM Silicon Labs IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN 詳細
SI3460-E03-GMR SI3460-E03-GMR Silicon Labs IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN 詳細
SI3460BDV SI3460BDV VIS SI3460BDV VIS SOT-26 New Original Stocks 詳細
SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP 詳細
SI3460BDV-T1-GE3 SI3460BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP 詳細
Si3460DDV Si3460DDV Vishay Si3460DDV Vishay TSOP-6 New Original Stocks 詳細
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP 詳細
SI3460DV SI3460DV VIS SI3460DV VIS SOT-23.. New Original Stocks 詳細