SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

品番
SI2335DS-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3545 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SI2335DS-T1-E3 詳細な説明

品番 SI2335DS-T1-E3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 450mV @ 250µA (Min)
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1225pF @ 6V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 51 mOhm @ 4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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