品番 | SI2335DS-T1-E3 |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1225pF @ 6V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 750mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 51 mOhm @ 4A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
重量 | - |
原産国 | - |