品番 | SI1902DL-T1-E3 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 660mA |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 385 mOhm @ 660mA, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
電力 - 最大 | 270mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 (SOT-363) |
重量 | - |
原産国 | - |