| 品番 | SI1480DH-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 130pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 200 mOhm @ 1.9A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 (SOT-363) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 | 詳細 |
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SI1488DH | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
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SI1488DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | 詳細 |
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SI1488DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | 詳細 |
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SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 | 詳細 |
