品番 | SI1317DL-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.4A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 800mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 272pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
動作温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-323 |
パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
重量 | - |
原産国 | - |