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IRFD224 - Vishay Siliconix

品番: IRFD224
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IRFD224 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 25463 pcs
参考価格: USD 1.0357/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IRFD224 詳細な説明

品番	IRFD224
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	250V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	630mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	14nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	260pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.1 Ohm @ 380mA, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース	4-DIP (0.300", 7.62mm)
重量	-
原産国	-

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