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IRFBE30L - Vishay Siliconix

品番: IRFBE30L
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IRFBE30L PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3739 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IRFBE30L 詳細な説明

品番	IRFBE30L
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.1A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	78nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1300pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	125W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	I2PAK
パッケージ/ケース	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量	-
原産国	-

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