日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

TPN1600ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPN1600ANH,L1Q
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPN1600ANH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 52123 pcs
参考価格: USD 0.5121/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPN1600ANH,L1Q 詳細な説明

品番	TPN1600ANH,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	17A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	19nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1600pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	16 mOhm @ 8.5A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

関連製品 TPN1600ANH,L1Q