TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TPH8R008NH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N CH 80V 34A SOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPH8R008NH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
38461 pcs
参考価格
USD 0.7022/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q 詳細な説明

品番 TPH8R008NH,L1Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 34A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3000pF @ 40V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 mOhm @ 17A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 -
原産国 -

関連製品 TPH8R008NH,L1Q