| 品番 | TK6P60W,RVQ |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.2A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.7V @ 310µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390pF @ 300V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 60W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 820 mOhm @ 3.1A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TK6P53D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 | 詳細 |
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TK6P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK | 詳細 |
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TK6P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK | 詳細 |
