TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TK39N60W,S1VF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
222 pcs
参考価格
USD 11.44/pcs
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TK39N60W,S1VF 詳細な説明

品番 TK39N60W,S1VF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 38.8A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 1.9mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 110nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4100pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 270W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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