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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TK14N65W,S1F
TK14N65W,S1F

TK14N65W,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TK14N65W,S1F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TK14N65W,S1F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
335 pcs
参考価格
USD 3.4/pcs
私達の価格
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TK14N65W,S1F 詳細な説明

品番 TK14N65W,S1F
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 13.7A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 690µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300pF @ 300V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 130W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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