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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › TC58NVG0S3HBAI6
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TC58NVG0S3HBAI6
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TC58NVG0S3HBAI6 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
40 pcs
参考価格
USD 2.32/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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TC58NVG0S3HBAI6 詳細な説明

品番 TC58NVG0S3HBAI6
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット EEPROM
技術 EEPROM - NAND
メモリー容量 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 25ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 2.7 V ~ 3.6 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 67-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 67-VFBGA (6.5x8)
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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