SSM3J35CT,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	SSM3J35CT,L3F
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
Vgs（最大）	±10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	12.2pF @ 3V
FET機能	-
消費電力（最大）	100mW (Ta)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	CST3
パッケージ/ケース	SC-101, SOT-883
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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