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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › RN2107MFV,L3F
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
RN2107MFV,L3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANS PREBIAS NPN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RN2107MFV,L3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
909655 pcs
参考価格
USD 0.029/pcs
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RN2107MFV,L3F 詳細な説明

品番 RN2107MFV,L3F
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 10k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 47k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 150mW
取付タイプ -
パッケージ/ケース -
サプライヤデバイスパッケージ -
重量 -
原産国 -

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