• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › RN2103MFV,L3F
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
RN2103MFV,L3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RN2103MFV,L3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
65825 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F 詳細な説明

品番 RN2103MFV,L3F
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 500µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 150mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-723
サプライヤデバイスパッケージ VESM
重量 -
原産国 -

関連製品 RN2103MFV,L3F

画像 品番 メーカー 説明 見る
RN2101(T5L,F,T) RN2101(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 詳細
RN2101,LF(CT RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 詳細
RN2101ACT(TPL3) RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 詳細
RN2101CT(TPL3) RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 詳細
RN2102 RN2102 TOSHIBA RN2102 TOSHIBA SOT-52.. New Original Stocks 詳細
RN2102,LF(CT RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 詳細
RN2102ACT(TPL3) RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 詳細
RN2102CT(TPL3) RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 詳細
RN2102MFV RN2102MFV ORIGINAL RN2102MFV ORIGINAL O-NEW New Original Stocks 詳細
RN2103 RN2103 TOSHIBA RN2103 TOSHIBA SOT723 New Original Stocks 詳細