| 品番 | RN1701JE(TE85L,F) |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| 抵抗器 - ベース（R1）（オーム） | 4.7k |
| 抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） | 4.7k |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz |
| 電力 - 最大 | 100mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-553 |
| サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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RN1701JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV | 詳細 |
