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RN1119MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: RN1119MFV,L3F
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: RN1119MFV,L3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 5681517 pcs
参考価格: USD 0.02898/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

RN1119MFV,L3F 詳細な説明

品番	RN1119MFV,L3F
部品ステータス	Active
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	50V
Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic	300mV @ 500µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移	-
電力 - 最大	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SOT-723
サプライヤデバイスパッケージ	VESM
重量	-
原産国	-

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