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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2SK1119(F)
2SK1119(F)

2SK1119(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
2SK1119(F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2SK1119(F) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
2SK1119(F).pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3786 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2SK1119(F) 詳細な説明

品番 2SK1119(F)
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 60nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 700pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 100W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.8 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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