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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2SJ438,Q(J
2SJ438,Q(J

2SJ438,Q(J - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
2SJ438,Q(J
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET P-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2SJ438,Q(J PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
2SJ438,Q(J.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4075 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2SJ438,Q(J 詳細な説明

品番 2SJ438,Q(J
部品ステータス Last Time Buy
FETタイプ -
技術 -
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220NIS
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

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