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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › 2SA965-Y,T6F(J
2SA965-Y,T6F(J

2SA965-Y,T6F(J - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
2SA965-Y,T6F(J
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
2SA965-Y,T6F(J.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3601 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2SA965-Y,T6F(J 詳細な説明

品番 2SA965-Y,T6F(J
部品ステータス Last Time Buy
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 800mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 120V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 1V @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 80 @ 100mA, 5V
電力 - 最大 900mW
周波数 - 遷移 120MHz
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 Long Body
サプライヤデバイスパッケージ LSTM
重量 -
原産国 -

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