TSM60NB190CI C0G

TSM60NB190CI C0G - Taiwan Semiconductor Corporation

品番
TSM60NB190CI C0G
メーカー
Taiwan Semiconductor Corporation
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
57770 pcs
参考価格
USD 2.85/pcs
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TSM60NB190CI C0G 詳細な説明

品番 TSM60NB190CI C0G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 31nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1273pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 33.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ITO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
重量 -
原産国 -

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