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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TSM2N60ECH C5G
TSM2N60ECH C5G

TSM2N60ECH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

品番
TSM2N60ECH C5G
メーカー
Taiwan Semiconductor Corporation
簡単な説明
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TSM2N60ECH C5G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
205812 pcs
参考価格
USD 0.8/pcs
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TSM2N60ECH C5G 詳細な説明

品番 TSM2N60ECH C5G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 362pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 52.1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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