STU12N60M2

STU12N60M2 - STMicroelectronics

品番
STU12N60M2
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
STU12N60M2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4722 pcs
参考価格
USD 1.74/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください STU12N60M2

STU12N60M2 詳細な説明

品番 STU12N60M2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 16nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 538pF @ 100V
Vgs(最大) ±25V
FET機能 -
消費電力(最大) 85W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 450 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

関連製品 STU12N60M2