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STI33N60M2 - STMicroelectronics

品番: STI33N60M2
メーカー: STMicroelectronics
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: STI33N60M2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2467 pcs
参考価格: USD 5.17/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

STI33N60M2 詳細な説明

品番	STI33N60M2
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	26A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	45.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1781pF @ 100V
Vgs（最大）	±25V
FET機能	-
消費電力（最大）	190W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	125 mOhm @ 13A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量	-
原産国	-

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