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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › STGP6M65DF2
STGP6M65DF2

STGP6M65DF2 - STMicroelectronics

品番
STGP6M65DF2
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
STGP6M65DF2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
STGP6M65DF2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5000 pcs
参考価格
USD 1.18/pcs
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STGP6M65DF2 詳細な説明

品番 STGP6M65DF2
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 12A
電流 - コレクタパルス（Icm） 24A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2V @ 15V, 6A
電力 - 最大 88W
スイッチングエネルギー 40µJ (on), 136µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 21.2nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 12ns/86ns
テスト条件 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 140ns
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
重量 -
原産国 -

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