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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › STGB40H65FB
STGB40H65FB

STGB40H65FB - STMicroelectronics

品番
STGB40H65FB
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
STGB40H65FB PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
STGB40H65FB.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
14556 pcs
参考価格
USD 1.764/pcs
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STGB40H65FB 詳細な説明

品番 STGB40H65FB
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 80A
電流 - コレクタパルス（Icm） 160A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2V @ 15V, 40A
電力 - 最大 283W
スイッチングエネルギー 498µJ (on), 363µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 210nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 40ns/142ns
テスト条件 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
重量 -
原産国 -

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