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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › STGB30H65FB
STGB30H65FB

STGB30H65FB - STMicroelectronics

品番
STGB30H65FB
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
113835 pcs
参考価格
USD 1.44638/pcs
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STGB30H65FB 詳細な説明

品番 STGB30H65FB
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 60A
電流 - コレクタパルス（Icm） 120A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2V @ 15V, 30A
電力 - 最大 260W
スイッチングエネルギー 151µJ (on), 293µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 149nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 37ns/146ns
テスト条件 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
重量 -
原産国 -

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