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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SCT10N120
SCT10N120

SCT10N120 - STMicroelectronics

品番
SCT10N120
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SCT10N120 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2231 pcs
参考価格
USD 11.87/pcs
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SCT10N120 詳細な説明

品番 SCT10N120
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 22nC @ 20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 290pF @ 400V
Vgs（最大） +25V, -10V
FET機能 -
消費電力（最大） 150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 690 mOhm @ 6A, 20V
動作温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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