| 品番 | 1N5266 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 電圧 - ツェナー（Nom）（Vz） | 68V |
| 公差 | - |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| インピーダンス（最大）（Zzt） | 230 Ohm |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 100nA @ 52V |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.1V @ 200mA |
| 動作温度 | 200°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 詳細 |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | 詳細 |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
|
1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
