| 品番 | US6M11TR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V, 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A, 1.3A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 110pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT6 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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