| 品番 | RSJ10HN06TL |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 202nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11000pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 100W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPTS |
| パッケージ/ケース | SC-83 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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RSJ10HN06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS | 詳細 |
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RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 15A SC83 | 詳細 |
