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RSJ10HN06TL - Rohm Semiconductor

品番: RSJ10HN06TL
メーカー: Rohm Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: RSJ10HN06TL PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: RSJ10HN06TL.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2500 pcs
参考価格: USD 3.3075/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

RSJ10HN06TL 詳細な説明

品番	RSJ10HN06TL
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	202nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	11000pF @ 10V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	100W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	LPTS
パッケージ/ケース	SC-83
重量	-
原産国	-

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